
下記の主要項目を有機的に統合し研究開発を進める。
スピントロニクス材料開発
- スピントロニクス論理集積回路試作用の世界最高水準のデバイス材料
- 微細化可能な高熱安定性スピントロニクスデバイス材料
- 大口径ウェハプロセス適用可能な材料技術
- 低抵抗素子化に向けたトンネルバリア層
スピントロニクスデバイス開発
- スピントルク,書込み確率,書込み耐性評価技術,
ナノ秒領域スピン注入磁化反転評価・解析技術
- 論理集積回路用スピントロニクスデバイスの高性能化
- (低書込み電流・高熱安定性・高TMR・高信頼性)
- 極微細スピントロニクスデバイス
革新的スピントロニクス材料・デバイス研究開発
- 革新的スピントロ二クス材料・デバイス構造の探索
- 電界効果型磁化制御材料・デバイス
- 材料・デバイス理論
- 半導体スピントロニクス材料・デバイス技術
スピントロニクス集積プロセス開発
- 産学官共同研究拠点(つくばイノベーションアリーナ:TIA)サイトでの試作
- 東北大学サイトでの極微細素子/新材料プロセス開発
- 大口径ウェハ向け微細加工基盤技術

スピントロニクス論理集積回路動作検証・IP開発
- 専用スピントロニクス論理集積回路向けアプリケーションの設計・原理検証
- 汎用スピントロニクス論理集積回路向けアプリケーションの設計・原理検証
- スピントロニクス論理集積回路の安定・高速動作技術
スピントロニクス論理集積回路設計手法・設計ツール開発
スピントロニクス論理集積回路実証・拠点形成

東北大学
省エネルギー・スピントロニクス
集積化システムセンター支援室
〒980-8577
宮城県仙台市青葉区片平2-1-1
TEL : 022-217-6116
E-mail : sien
csis.tohoku.ac.jp